基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究_白霖.pdf

《基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究》講解了氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）在高溫柵偏壓（HTGB）應力下出現(xiàn)的勢壘退化現(xiàn)象及其對射頻工作穩(wěn)定性的影響。文章通過使用微光顯微鏡（EMMI）作為主要研究工具，探討了不同電偏置條件下器件EMMI發(fā)光的分布和形成機理，并對比了HTGB試驗前后EMMI發(fā)光圖像的變化。研究發(fā)現(xiàn)，HTGB后器件在反偏電場下出現(xiàn)了明顯新增的EMMI亮點，這些亮點通過微區(qū)分析被定位到柵下的外延位錯對應的局部燒毀點。研究表明，延伸至柵下的外延位錯會構(gòu)成漏電通道，對HTGB下的退化和失效存在貢獻。這一研究為理解GaN HEMT器件在高溫條件下的可靠性問題提供了重要依據(jù)，并為進一步優(yōu)化器件設計和工藝提供了指導。

《基于EMMI定位的GaN_HEMT耐正向可靠性研究》適用于從事第三代半導體材料研究、特別是專注于氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）開發(fā)與應用的科研人員和技術工程師。該文不僅對雷達、航空航天、通信基站等微波領域的專業(yè)人士有參考價值，也適用于關注半導體器件可靠性和長期性能的制造業(yè)企業(yè)。通過對HTGB應力下器件退化機制的研究，該文檔能夠幫助相關人員更好地理解GaN HEMT器件的工作原理及其潛在的失效模式，從而為提高器件的穩(wěn)定性和使用壽命提供理論支持和技術方案。