硅和鍺體內少數載流子壽命的測定 光電導衰減法GBT1553-2023.pdf
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硅和鍺體內少數載流子壽命的測定 光電導衰減法GBT1553-2023.pdf
《硅和鍺體內少數載流子壽命的測定光電導衰減法GBT1553-2023》講解了非本征硅單體和鍺單體在載流子復合過程中，針對非平衡少數載流子壽命測定的專門測試方法。文件核心聚焦于通過光電導衰減這一調試技術來量化并分析非本征硅單品及鍺單品材料內部少子（少數載流子）壽命特性。具體操作原理在于，利用特定光源激發樣品，在非平衡條件下使材料中產生額外載流子對。隨后切斷光照，記錄下因復合過程所引發的光電導響應隨時間變化的趨勢，由此精確測量得到從激發態返回基態的平均時間周期，該周期即為少數載流子壽命。這一過程對于評估材料質量以及預測其在不同環境下可能發生的性能波動意義非凡。由于載流子行為直接影響到電子元器件的工作穩定性和效能表現，因此采用規范準確的方法進行壽命參數檢測顯得尤為關鍵。
《硅和鍺體內少數載流子壽命的測定光電導衰減法GBT1553-2023》適用于從事硅與鍺半導體材料研發、制造及相關器件生產領域的科研工作者和技術人員。無論是在新產品開發階段還是生產線質量管理控制流程之中，所有涉及到需深入了解或評價非本征硅單體及鍺單體內非平衡少數載流子動力學性質的研究人員，皆可依據此文檔提供的標準指南來進行可靠的測試操作。這對于提高我國在硅鍺半導體基礎原材料及其下游產業的技術水平和發展速度有著不可替代的作用。
