半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法GBT6616-2023.pdf

上傳人：一***

文檔編號：303153

上傳時間：2023-09-11

格式：PDF

頁數：10

大小：3.95MB

文檔加載中……請稍候！
如果長時間未打開，您也可以點擊刷新試試。

下載文檔到電腦，查找使用更方便

1.98 金幣

下載	加入VIP,免費下載

還剩頁未讀，繼續閱讀

配套講稿：: 如PPT文件的首頁顯示word圖標，表示該PPT已包含配套word講稿。雙擊word圖標可打開word文檔。
特殊限制：: 部分文檔作品中含有的國旗、國徽等圖片，僅作為作品整體效果示例展示，禁止商用。設計者僅對作品中獨創性部分享有著作權。
關鍵詞：: 半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法GBT6616-2023 半導體晶片電阻率薄膜薄層電阻測試接觸渦流 GBT6616 2023

資源簡介：: 《半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法GBT6616-2023》講解了針對半導體材料及其薄膜特性測試的方法規范，具體聚焦在使用非接觸渦流法測量晶片電阻率和薄膜的薄層電阻。文檔闡述了渦流探頭的設計要求以及檢測系統性能校準，包括溫度控制條件等環境影響因素的處理，旨在提供高精度的測試環境。同時，詳細列明了樣品制備過程中的規范步驟，確保樣本的一致性和代表性。對于測試過程中的誤差來源進行了剖析并給出相應的解決方案或建議以降低不確定性。該標準強調測試結果表達需遵循一定的格式，并配套實例演示了從數據獲取到處理的全過程，為使用者提供了清晰的操作流程與評判依據。

《半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法GBT6616-2023》適用于半導體研發制造企業，尤其專注于硅、砷化鎵等常用半導體材料的研究機構和個人。它同樣適合于高等院校、科研院所等從事相關材料科學研究的部門，作為指導文件幫助實驗人員規范測試操作流程，提升實驗結果可靠性，促進研究成果標準化發展。對參與半導體器件性能評估及質量監控的技術人員具有重要參考價值，有助于建立和完善國內半導體材料特性參數的測量體系。

展開閱讀全文

安全人之家所有資源均是用戶自行上傳分享，僅供網友學習交流，未經上傳用戶書面授權，請勿作他用。