PN結(jié)原理及制備工藝(38頁).ppt

《PN結(jié)原理及制備工藝》講解了半導(dǎo)體的基本分類及其導(dǎo)電性能，重點在于n型和p型半導(dǎo)體以及二者組成的PN結(jié)特性。硅Si和鍺Ge這兩種典型的半導(dǎo)體材料均屬4價元素。對于n型半導(dǎo)體而言，通過摻入五價元素的雜質(zhì)例如砷、磷，形成大量可參與導(dǎo)電的負(fù)電荷電子。當(dāng)這些施主雜質(zhì)被引入硅或鍺后，它們能貢獻出一個額外的自由電子，在常溫下這些電子可以離開原來的位置，使該區(qū)域呈現(xiàn)出n型特性，從而大大增強了載流子濃度，依靠自由電子進行導(dǎo)電活動。而p型半導(dǎo)體中，主要是三價元素如硼、銦等作為受主摻雜進來，這類雜質(zhì)在接受來自基體硅或鍺材料提供的價電子后會在晶格中產(chǎn)生帶正電的空穴，并且由于這種受主雜質(zhì)的數(shù)量多，形成了以正電為空穴的載流子占主導(dǎo)地位的情況。將n型與p型兩部分連接在一起就形成了PN結(jié)。此交界面非常之薄，并伴有空間電荷區(qū)的建立及內(nèi)在靜電場，從P側(cè)指向N側(cè)，具有重要的電流控制效果。該靜電場在不同極性的外加電壓下表現(xiàn)出單向?qū)щ娦院驼髂芰Γ丛谡蚱脳l件下，電子和空穴能夠順利穿越這個區(qū)域產(chǎn)生較大電流，反向則幾乎無法通行，僅少許載流子可透過。同時，《PN結(jié)原理及制備工藝》闡述了本征激發(fā)、PN結(jié)在光的作用下的響應(yīng)特性及反向擊穿機制。此外，關(guān)于PN結(jié)的應(yīng)用，《PN結(jié)原理及制備工藝》提及了利用其特點設(shè)計而成的二極管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管甚至于光電池等組件。

《PN結(jié)原理及制備工藝》適用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的科研人員和技術(shù)工作者，特別是專注于晶體管、集成電路及其他半導(dǎo)體元器件的研究、設(shè)計與制造領(lǐng)域者。也適合于高等院校相關(guān)專業(yè)的師生，在教學(xué)過程中作為深入理解半導(dǎo)體物理特性的學(xué)習(xí)資料，有助于他們掌握pn結(jié)的工作機理及其在各類現(xiàn)代微電子裝置里的作用。不僅如此，任何有興趣深入了解半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及其潛在技術(shù)革新的人士也能從中獲得有價值的信息。